D系列平面型全耗尽硅面垒型辐射探测器-上海纳优仪器仪表有限公司

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安装布局 +

订购时必须指定安装座。

A 这是一个“环形安装座”；即硅晶片在其环上，没有输出连接器。这种不常使用的布局可应特殊要求提供。适用于40 μm至100 μm的探测器。

E 这是一种特殊类型的传输安装座，可以小心调节其四个螺钉，以避免对特别脆弱的硅晶片施加过大的压力。适用于厚度达40.0 μm的探测器。注意：通过移除螺钉，可以拆卸E安装座。V尺寸提供适合0.080螺钉、直径为1.7 mm的安装孔之间的距离。

T 侧面的Microdot连接器（向后开口），耗尽深度>40.0 μm。

尺寸以毫米为单位。

探测器尺寸 (mm²)	W (标称)	A型		E型可拆卸的传输				T型传输
探测器尺寸 (mm²)	W (标称)	X	Y	X	Y	Z	V	X	Y	Z
050	8.0	15.2	3.7	25.1	7.7	7.0	18.2	19.4	7.9	9.9
150	13.8	22.0	3.7	31.9	7.7	7.0	25.0	26.1	7.9	9.9
300	19.5	27.1	3.7	37.1	7.7	7.0	30.1	31.6	7.9	9.9
450	23.9	30.5	3.7	40.2	7.7	7.0	33.3	34.8	7.9	9.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

订购信息 +

订购时必须指定安装座。

除非另有说明，否则提供适用于厚度达40.0μm的E安装座；适用于厚度>40.0 μm的T型安装座。

*所有标准耗尽的探测器都以特定的角度从母晶体上偏轴切割，这将限度地减少离子穿隧效应。可为特殊订单提供更大的面积。可为特殊订单提供其他面积和深度。

**型号的前三位数字表示使用标准ORTEC电子设备和0.5-μs整形时间常数测得的总系统噪声宽度。噪声宽度针对每个范围和指定标称面积的最小厚度（电容）给出。对于高电容单元，性能取决于实际厚度和面积。

注:兼容Alpha套件的探测器:ENS-系列(购买新系统时含安装和测试)、ENS8系列(新系统的8包备件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探测器型号保证与Alpha套件产品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探测器都需要经过特殊批准以保证其兼容性及指标规格。

有效面积 (mm²)	厚度变化（μm）	耗尽深度15 µm 范围7-15µm	耗尽深度25 µm 范围15.1-25µm	耗尽深度40 µm 范围25.1-40µm
有效面积 (mm²)	厚度变化（μm）	型号	型号	型号
10	±0.5	D-020-010-15
50	±0.5	D-035-050-15	D-035-050-25	D-020-050-40
150	±1.0		D-060-150-25	D-035-150-40
300	±1.0		D-095-300-25	D-055-300-40
450	±3.0		D-100-450-25	D-090-450-40

有效面积 (mm²)	厚度变化（μm）	耗尽深度50 µm 范围40.1-65µm	耗尽深度75 µm 范围65.1-85µm	耗尽深度100 µm 范围85.1-110µm
有效面积 (mm²)	厚度变化（μm）	型号	型号	型号
50	±0.5	D-015-050-50	D-015-050-75	D-015-050-100
150	±1.0	D-030-150-50	D-030-150-75	D-025-150-100
300	±1.0	D-045-300-50	D-040-300-75	D-030-300-100
450	±3.0	D-070-450-50	D-060-450-75	D-060-450-100

D系列平面型全耗尽硅面垒型辐射探测器

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